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SSM6J215FE(TE85L,F - 

MOSFET P CH 20V 3.4A ES6

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE(TE85L,F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SSM6J215FE(TE85L,F
仓库库存编号：
SSM6J215FE(TE85LFCT-ND
描述：
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 500mW（Ta） ES6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SSM6J215FE(TE85L,F产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  U-MOSVI  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ES6  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  10.4nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  59 毫欧 @ 3A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.5V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.4A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  630pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  500mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM6J215FE
标准包装 1
其它名称 SSM6J215FE(TE85LFCT

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