SSM6L35FE,LM,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SSM6L35FE,LM - 

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FE,LM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SSM6L35FE,LM
仓库库存编号:
SSM6L35FELMCT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SSM6L35FE,LM产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ES6(1.6x1.6)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3 欧姆 @ 50mA,4V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  180mA,100mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  9.5pF @ 3V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  150mW  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 SSM6L16FE(TE85LF)CT
SSM6L16FE(TE85LF)CT-ND
SSM6L35FE(TE85LF)CT
SSM6L35FE(TE85LF)CT-ND
SSM6L35FELM(TCT
SSM6L35FELM(TCT-ND
SSM6L35FELMCT

SSM6L35FE,LM您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SSM6L35FE,LM相关搜索

封装/外壳 SOT-563,SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-563,SOT-666  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563,SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563,SOT-666   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 ES6(1.6x1.6)  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 ES6(1.6x1.6)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ES6(1.6x1.6)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ES6(1.6x1.6)   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 50mA,4V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 50mA,4V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 50mA,4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 50mA,4V   FET 类型 N 和 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180mA,100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180mA,100mA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180mA,100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180mA,100mA   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 3V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 3V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 3V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 3V   FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA   漏源电压(Vdss) 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V   功率 - 最大值 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号