SSM6L35FU(TE85L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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SSM6L35FU(TE85L,F) - 

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU(TE85L,F)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SSM6L35FU(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SSM6L35FU(TE85L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  US6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3 欧姆 @ 50mA，4V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  180mA，100mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  9.5pF @ 3V  
  FET 功能  逻辑电平栅极，1.2V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  20V  
  功率 - 最大值  200mW  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM6L35FU
标准包装 1
其它名称 SSM6L35FU(TE85LF)CT

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