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产品规格

封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	6-UDFN（2x2）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

数据列表	SSM6L61NU
标准包装	1
其它名称	SSM6L61NULFCT

封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-UDFN（2x2）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 6-UDFN（2x2）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-UDFN（2x2）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-UDFN（2x2）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 N 和 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 标准  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 -  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -