SSM6N35FE,LM,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SSM6N35FE,LM
SSM6N35FE,LM -
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
SSM6N35FE,LM
仓库库存编号:
SSM6N35FELMCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SSM6N35FE,LM产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
ES6(1.6x1.6)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3 欧姆 @ 50mA,4V
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
180mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9.5pF @ 3V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
150mW
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
SSM6N35FE(TE85LF)CT
SSM6N35FE(TE85LF)CT-ND
SSM6N35FELMCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:683-1338-1
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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