SSM6N56FE,LM,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SSM6N56FE,LM - 

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N56FE,LM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SSM6N56FE,LM
仓库库存编号：
SSM6N56FELMCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SSM6N56FE,LM产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ES6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  235 毫欧 @ 800mA，4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  800mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  55pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平栅极，1.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  20V  
  功率 - 最大值  150mW  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM6N56FE
标准包装 1
其它名称 SSM6N56FELMCT

SSM6N56FE,LM您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SSM6N56FE,LM相关搜索

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 ES6  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 ES6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ES6  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ES6   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1nC @ 4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1nC @ 4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 235 毫欧 @ 800mA，4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 235 毫欧 @ 800mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 235 毫欧 @ 800mA，4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 235 毫欧 @ 800mA，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 55pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 55pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 55pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 55pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平栅极，1.5V 驱动  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 逻辑电平栅极，1.5V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.5V 驱动  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号