SSM6N7002BFU(T5L,F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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SSM6N7002BFU(T5L,F - 

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
  • 零件状态：过时；购买截止日期：12-31-2017。可能有最低购买数量。
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU(T5L,F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SSM6N7002BFU(T5L,F
仓库库存编号：
SSM6N7002BFU(T5LFCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SSM6N7002BFU(T5L,F
库存编号:SSM6N7002BFU(T5LFCT-ND		 Toshiba America Electronic Components MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US60
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SSM6N7002BFU(T5L,F
库存编号:SSM6N7002BFU(T5LFDKR-ND		 Toshiba America Electronic Components MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US60
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SSM6N7002BFU(T5L,F产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  US6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.1 欧姆 @ 500mA，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  200mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  17pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  300mW  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 SSM6N7002BFU(T5LFCT
SSM6N7002BFULF(TCT
SSM6N7002BFULF(TCT-ND

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Toshiba		MOSFET DUAL N-CH 60V .2A US6
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MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
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