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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	ES6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	8 欧姆 @ 50mA，4V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	12.2pF @ 3V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	150mW
关键词

产品资料

数据列表	SSM6P35FE
标准包装	4,000
其它名称	SSM6P35FE,LM(B SSM6P35FE,LM(T SSM6P35FELM

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 ES6  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 ES6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ES6  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ES6   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 欧姆 @ 50mA，4V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 欧姆 @ 50mA，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 欧姆 @ 50mA，4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 欧姆 @ 50mA，4V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12.2pF @ 3V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12.2pF @ 3V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12.2pF @ 3V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12.2pF @ 3V   FET 功能 标准  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW