SSM6P36FE,LM,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SSM6P36FE,LM - 

MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

  • 非库存货
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE,LM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SSM6P36FE,LM
仓库库存编号:
SSM6P36FELMTR-ND
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SSM6P36FE,LM产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ES6(1.6x1.6)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  1.2nC @ 4V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V  
  FET 类型  2 个 P 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  330mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  43pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  150mW  
关键词         

产品资料
标准包装 4,000
其它名称 SSM6P36FE(TE85L,F)
SSM6P36FE(TE85LF)TR
SSM6P36FE(TE85LF)TR-ND
SSM6P36FE,LM(B
SSM6P36FE,LM(T
SSM6P36FELM(TTR
SSM6P36FELM(TTR-ND
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