关于我们 | 联系我们

库存查询

• 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	ES6（1.6x1.6）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1.76nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	300 毫欧 @ 400mA，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	720mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	110pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	150mW
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	SSM6P41FE(TE85LF)CT

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 ES6（1.6x1.6）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 ES6（1.6x1.6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ES6（1.6x1.6）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ES6（1.6x1.6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.76nC @ 4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.76nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.76nC @ 4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.76nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 400mA，4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 400mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 400mA，4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 400mA，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 720mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 720mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 720mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 720mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW