SSM6P49NU,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
>
SSM6P49NU,LF
SSM6P49NU,LF -
MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
SSM6P49NU,LF
仓库库存编号:
SSM6P49NULFCT-ND
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SSM6P49NU,LF产品属性
产品规格
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
6-UDFN(2x2)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
6.74nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
45 毫欧 @ 3.5A,10V
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
480pF @ 10V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
1W
关键词
产品资料
数据列表
SSM6P49NU
标准包装
1
其它名称
SSM6P49NULF(TCT
SSM6P49NULF(TCT-ND
SSM6P49NULFCT
SSM6P49NU,LF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
型号:
SSM6P47NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6P47NULF(TCT-ND
别名:SSM6P47NULF(TCT
SSM6P47NULFCT
SSM6P47NULFCT-ND
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA931DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA931DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA931DJ-T1-GE3CT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.7A 900mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
型号:
DMP2100UFU-7
仓库库存编号:
DMP2100UFU-7DICT-ND
别名:DMP2100UFU-7DICT
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount
型号:
SIA907EDJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA907EDJT-T1-GE3CT-ND
别名:SIA907EDJT-T1-GE3CT
无铅
搜索
SSM6P49NU,LF相关搜索
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 6-UDFN(2x2)
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 6-UDFN(2x2)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-UDFN(2x2)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-UDFN(2x2)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.74nC @ 4.5V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.74nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.74nC @ 4.5V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.74nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.5A,10V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.5A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.5A,10V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.5A,10V
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 2 个 P 沟道(双)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道(双)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 10V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 10V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 10V
FET 功能 逻辑电平门
Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 逻辑电平门
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
漏源电压(Vdss) 20V
Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
功率 - 最大值 1W
Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 1W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号