TC58NYG0S3HBAI6,Toshiba Semiconductor and Storage,集成电路（IC）,存储器
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TC58NYG0S3HBAI6 - 

IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA

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Toshiba Semiconductor and Storage TC58NYG0S3HBAI6
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TC58NYG0S3HBAI6
仓库库存编号：
TC58NYG0S3HBAI6-ND
描述：
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 25ns 67-VFBGA（6.5x8）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TC58NYG0S3HBAI6产品属性


产品规格
  封装/外壳  67-VFBGA  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 85°C（TA）  
  系列  -  
  包装  托盘   
  零件状态  在售  
  电压 - 电源  1.7 V ~ 1.95 V  
  供应商器件封装  67-VFBGA（6.5x8）  
  存储容量  1Gb （128M x 8）  
  技术  EEPROM - NAND  
  存储器类型  非易失  
  访问时间  25ns  
  写周期时间 - 字，页  25ns  
  存储器格式  EEPROM  
  存储器接口  并联  
关键词         

产品资料
数据列表 TC58NYG0S3HBAI6
标准包装 338
其它名称 TC58NYG0S3HBAI6JAH
TC58NYG0S3HBAI6JDH

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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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