- 制造商产品编号:
- TC58NYG1S3HBAI6
- 仓库库存编号:
- TC58NYG1S3HBAI6-ND
- 描述:
- IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA
- ROHS:
- 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 湿气敏感性等级(MSL):
- 3(168 小时)
- 详细描述:
- EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 25ns 67-VFBGA(6.5x8)
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