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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	175°C（TJ）
系列	U-MOSVI
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	DPAK+
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	+10V，-20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	83nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	9.1 毫欧 @ 20A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	40A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4140pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 1mA
功率耗散（最大值）	68W（Tc）
漏源电压（Vdss）	40V
关键词

产品资料

标准包装	2,000
其它名称	TJ40S04M3L(T6L1NQ TJ40S04M3LT6L1NQ

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 U-MOSVI  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVI  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSVI  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSVI   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK+  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 DPAK+  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK+  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK+   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） +10V，-20V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） +10V，-20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +10V，-20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +10V，-20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 83nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9.1 毫欧 @ 20A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9.1 毫欧 @ 20A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9.1 毫欧 @ 20A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9.1 毫欧 @ 20A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V   FET 类型 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4140pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4140pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4140pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4140pF @ 10V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA   功率耗散（最大值） 68W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 68W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 68W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 68W（Tc）   漏源电压（Vdss） 40V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V