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TK12A53D(STA4,Q,M) - 

MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS

  • 非库存货
Toshiba Semiconductor and Storage TK12A53D(STA4,Q,M)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TK12A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A53D(STA4QM)-ND
描述：
MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
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TK12A53D(STA4,Q,M)产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  π-MOSVII  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220SIS  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  25nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  580 毫欧 @ 6A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  12A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1350pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  45W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  525V  
关键词         

产品资料
标准包装 50
其它名称 TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM

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MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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TK12A53D(STA4,Q,M)
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MOSFET N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58

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Trans MOSFET N-CH 525V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK12A53D(STA4,Q,M))

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MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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MOSFET N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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Toshiba		MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
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Toshiba Semiconductor and Storage - TK12A53D(STA4,Q,M) - MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS		Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS

型号：TK12A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：TK12A53D(STA4QM)-ND
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