关于我们 | 联系我们

库存查询

• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	4-VSFN 裸露焊盘
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	DTMOSIV
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	5-DFN（8x8）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	86nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	98 毫欧 @ 15.4A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	30.8A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3000pF @ 300V
FET 功能	超级结
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.7V @ 1.5mA
功率耗散（最大值）	240W（Tc）
漏源电压（Vdss）	600V
关键词

产品资料

数据列表	TK31V60W
标准包装	1
其它名称	TK31V60WLVQCT

封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 DTMOSIV  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 DTMOSIV  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 DTMOSIV  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 DTMOSIV   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 5-DFN（8x8）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 5-DFN（8x8）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 5-DFN（8x8）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 5-DFN（8x8）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 98 毫欧 @ 15.4A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 98 毫欧 @ 15.4A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 98 毫欧 @ 15.4A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 98 毫欧 @ 15.4A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30.8A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30.8A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30.8A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30.8A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V   FET 功能 超级结  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 超级结  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 超级结  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 超级结   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA   功率耗散（最大值） 240W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 240W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 240W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 240W（Tc）   漏源电压（Vdss） 600V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V