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TK31V60W5,LVQ - 

MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W5,LVQ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TK31V60W5,LVQ
仓库库存编号：
TK31V60W5LVQCT-ND
描述：
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TK31V60W5,LVQ产品属性


产品规格
  封装/外壳  4-VSFN 裸露焊盘  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TA）  
  系列  DTMOSIV  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  4-DFN-EP（8x8）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  105nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  109 毫欧 @ 15.4A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  30.8A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3000pF @ 300V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 1.5mA  
  功率耗散（最大值）  240W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 TK31V60W5
标准包装 1
其它名称 TK31V60W5LVQCT

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