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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	DTMOSV
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220SIS
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	20nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	380 毫欧 @ 4.9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	9.7A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	590pF @ 300V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 360μA
功率耗散（最大值）	30W
漏源电压（Vdss）	600V
关键词

产品资料

数据列表	TK380A60Y
标准包装	50
其它名称	TK380A60Y,S4X(S TK380A60YS4X TK380A60YS4X(S

封装/外壳 TO-220-3 整包  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 DTMOSV  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 DTMOSV  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 DTMOSV  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 DTMOSV   包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220SIS  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-220SIS  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220SIS  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220SIS   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 4.9A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 4.9A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 4.9A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 4.9A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.7A（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.7A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.7A（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.7A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 590pF @ 300V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 590pF @ 300V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 590pF @ 300V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 590pF @ 300V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 360μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 360μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 360μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 360μA   功率耗散（最大值） 30W  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 30W  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 30W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 30W   漏源电压（Vdss） 600V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V