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TK40E10N1,S1X
TK40E10N1,S1X -
MOSFET N CH 100V 90A TO220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
TK40E10N1,S1X
仓库库存编号:
TK40E10N1S1X-ND
描述:
MOSFET N CH 100V 90A TO220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 90A(Tc) 126W(Tc) TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TK40E10N1,S1X产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
U-MOSVIII-H
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
49nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.2 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
90A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3000pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 500μA
功率耗散(最大值)
126W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
TK40E10N1
标准包装
50
其它名称
TK40E10N1,S1X(S
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 通孔
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工作温度 150°C(TJ)
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系列 U-MOSVIII-H
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 U-MOSVIII-H
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-220
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 500μA
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功率耗散(最大值) 126W(Tc)
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