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TK40P03M1(T6RDS-Q) - 

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3

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Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RDS-Q)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)
仓库库存编号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) DPAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TK40P03M1(T6RDS-Q)产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -  
  系列  U-MOSVI-H  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  17.5nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  10.8 毫欧 @ 20A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  40A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1150pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.3V @ 100μA  
  功率耗散(最大值)  -  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
标准包装 2,000
其它名称 TK40P03M1T6RDSQ

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