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产品规格

封装/外壳	-
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220-3
技术	-
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	-
关键词

产品资料

标准包装	50
其它名称	TK50E10K3S1SSQ

封装/外壳 -  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 -   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220-3  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-220-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3   技术 -  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 -   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 -   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -