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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	π-MOSVII
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220SIS
技术	MOSFET（金属氧化物）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	7.5A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	450V
关键词

产品资料

标准包装	50
其它名称	TK8A45DA(STA4QM) TK8A45DASTA4QM

封装/外壳 TO-220-3 整包  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 π-MOSVII  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 π-MOSVII  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 π-MOSVII  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 π-MOSVII   包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220SIS  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-220SIS  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220SIS  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220SIS   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -   漏源电压（Vdss） 450V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 450V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 450V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 450V