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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	VS-6（2.9x2.8）
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	400 @ 100mA，2V / 200 @ 100mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	170mV @ 6mA，300mA / 230mV @ 10mA，300mA
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	400mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	1A，700mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

标准包装	3,000
其它名称	TPC6901(TE85L,F) TPC6901(TE85L,F)-ND TPC6901(TE85LFM)

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）   晶体管类型 NPN，PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 400 @ 100mA，2V / 200 @ 100mA，2V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 400 @ 100mA，2V / 200 @ 100mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 400 @ 100mA，2V / 200 @ 100mA，2V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 400 @ 100mA，2V / 200 @ 100mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 170mV @ 6mA，300mA / 230mV @ 10mA，300mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 170mV @ 6mA，300mA / 230mV @ 10mA，300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 170mV @ 6mA，300mA / 230mV @ 10mA，300mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 170mV @ 6mA，300mA / 230mV @ 10mA，300mA   频率 - 跃迁 -  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 400mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 400mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 400mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 400mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A，700mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A，700mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A，700mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A，700mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V