TPC8132,LQ(S,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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TPC8132,LQ(S
TPC8132,LQ(S -
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
TPC8132,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8132LQ(S-ND
描述:
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TPC8132,LQ(S产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
U-MOSVI
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
+20V,-25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
34nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 3.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1580pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 200μA
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
标准包装
2,500
其它名称
TPC8132LQ(S
TPC8132LQS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Linear Technology
IC UMODULE DC/DC LV 4A 66-LGA
详细描述:非隔离 PoL 模块 DC/DC 转换器 1 输出 0.8 ~ 5 V 4A 2.38V - 5.5V 输入
型号:
LTM4604AEV#PBF
仓库库存编号:
LTM4604AEV#PBF-ND
别名:LTM4604AEVPBF
无铅
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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系列 U-MOSVI
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 200μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 200μA
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功率耗散(最大值) 1W(Ta)
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漏源电压(Vdss) 40V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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