TPC8211(TE12L,Q,M),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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TPC8211(TE12L,Q,M) - 

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage TPC8211(TE12L,Q,M)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPC8211(TE12L,Q,M)
仓库库存编号：
TPC8211(TE12L,Q,M)-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TPC8211(TE12L,Q,M)产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SOP（5.5x6.0）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  25nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  36 毫欧 @ 3A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  5.5A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1250pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  450mW  
关键词         

产品资料
标准包装 3,000

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