TPC8405(TE12L,Q,M),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TPC8405(TE12L,Q,M) - 

MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage TPC8405(TE12L,Q,M)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPC8405(TE12L,Q,M)
仓库库存编号：
TPC8405(TE12L,Q,M)-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TPC8405(TE12L,Q,M)产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SOP（5.5x6.0）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  27nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  26 毫欧 @ 3A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  6A，4.5A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1240pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  450mW  
关键词         

产品资料
标准包装 3,000

TPC8405(TE12L,Q,M)相关搜索

封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 3A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 3A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 3A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 3A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.5A  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.5A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1240pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1240pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1240pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1240pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 450mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 450mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 450mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 450mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号