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产品规格

封装/外壳	8-PowerVDFN
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	U-MOSVI-H
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	8-SOP Advance（5x5）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	25nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	11.3 毫欧 @ 10A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2110pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 200μA
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta），30W（Tc）
漏源电压（Vdss）	40V
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	TPCA8052-H(TE12LQMCT

封装/外壳 8-PowerVDFN  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 U-MOSVI-H  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVI-H  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSVI-H  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSVI-H   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.3 毫欧 @ 10A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.3 毫欧 @ 10A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.3 毫欧 @ 10A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.3 毫欧 @ 10A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2110pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2110pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2110pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2110pF @ 10V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA   功率耗散（最大值） 1.6W（Ta），30W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 1.6W（Ta），30W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.6W（Ta），30W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.6W（Ta），30W（Tc）   漏源电压（Vdss） 40V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V