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TPCA8103(TE12L,Q,M - 

MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8103(TE12L,Q,M
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPCA8103(TE12L,Q,M
仓库库存编号：
TPCA8103(TE12L,Q,M-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TPCA8103(TE12L,Q,M产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SOP Advance（5x5）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  184nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  4.2 毫欧 @ 20A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  40A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  7880pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  1.6W（Ta），45W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
标准包装 3,000

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