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产品规格

封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	U-MOSVI-H
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-TSON
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	27nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	8 毫欧 @ 11A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	22A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2200pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 200μA
功率耗散（最大值）	700mW（Ta），27W（Tc）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	TPCC8006-H(TE12LQMCT

封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 U-MOSVI-H  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVI-H  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSVI-H  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSVI-H   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 8-TSON  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 8-TSON  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-TSON  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-TSON   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 11A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 11A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 11A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 11A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA   功率耗散（最大值） 700mW（Ta），27W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 700mW（Ta），27W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 700mW（Ta），27W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 700mW（Ta），27W（Tc）   漏源电压（Vdss） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V