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产品规格

封装/外壳	4-XLGA
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	4-Chip LGA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	780pF @ 10V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 200μA
漏源电压（Vdss）	-
功率 - 最大值	500mW
关键词

产品资料

标准包装	4,000
其它名称	TPCL4202(TE85LF) TPCL4202TE85LF

封装/外壳 4-XLGA  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 4-XLGA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 4-XLGA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 4-XLGA   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 4-Chip LGA  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 4-Chip LGA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 4-Chip LGA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 4-Chip LGA   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 2 个 N 通道（半桥）  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 2 个 N 通道（半桥）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道（半桥）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道（半桥）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 780pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 780pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 780pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 780pF @ 10V   FET 功能 标准  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA   漏源电压（Vdss） -  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -   功率 - 最大值 500mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW