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产品规格

封装/外壳	8-SMD，扁平引线
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PS-8 (2.9x2.4)
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3 欧姆 @ 10mA，4V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA，5.5A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	9.3pF @ 3V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 100μA
漏源电压（Vdss）	20V，12V
功率 - 最大值	1W
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 8-SMD，扁平引线  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-SMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD，扁平引线  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD，扁平引线   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 PS-8 (2.9x2.4)  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 PS-8 (2.9x2.4)  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PS-8 (2.9x2.4)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PS-8 (2.9x2.4)   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 10mA，4V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 10mA，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 10mA，4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 10mA，4V   FET 类型 N 和 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA，5.5A  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA，5.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA，5.5A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA，5.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9.3pF @ 3V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9.3pF @ 3V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9.3pF @ 3V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9.3pF @ 3V   FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 100μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 100μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 100μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 100μA   漏源电压（Vdss） 20V，12V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 20V，12V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V，12V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V，12V   功率 - 最大值 1W  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 1W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W