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TPH2R306NH,L1Q - 

MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH,L1Q
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPH2R306NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH2R306NHL1QCT-ND
描述：
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TPH2R306NH,L1Q产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  U-MOSVIII-H  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SOP Advance（5x5）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  72nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.3 毫欧 @ 30A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  6.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  60A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  6100pF @ 30V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  1.6W（Ta），78W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 TPH2R306NH
标准包装 1
其它名称 TPH2R306NHL1QCT

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