TPH2R506PL,L1Q,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TPH2R506PL,L1Q - 

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL,L1Q
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPH2R506PL,L1Q
仓库库存编号：
TPH2R506PLL1QCT-ND
描述：
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 132W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TPH2R506PL,L1Q产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  175°C（TJ）  
  系列  U-MOSIX-H  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SOP Advance（5x5）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  60nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  4.4 毫欧 @ 30A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  100A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  5435pF @ 30V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 500μA  
  功率耗散（最大值）  132W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 TPH2R506PL
标准包装 1
其它名称 TPH2R506PLL1QCT

TPH2R506PL,L1Q您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

TPH2R506PL,L1Q相关搜索

封装/外壳 8-PowerVDFN  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 U-MOSIX-H  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIX-H  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSIX-H  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSIX-H   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 30A，4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 30A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 30A，4.5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 30A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5435pF @ 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5435pF @ 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5435pF @ 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5435pF @ 30V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 500μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 500μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 500μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 500μA   功率耗散（最大值） 132W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 132W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 132W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 132W（Tc）   漏源电压（Vdss） 60V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号