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TPH3R003PL,LQ - 

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL,LQ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPH3R003PL,LQ
仓库库存编号：
TPH3R003PLLQCT-ND
描述：
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
表面贴装 N 沟道 30V 88A（Tc） 90W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TPH3R003PL,LQ产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  175°C（TJ）  
  系列  U-MOSIX-H  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SOP Advance（5x5）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  50nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  4.2 毫欧 @ 44A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  88A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3825pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.1V @ 300μA  
  功率耗散（最大值）  90W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 TPH3R003PL
标准包装 1
其它名称 TPH3R003PLLQCT

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