TPH4R003NL,L1Q,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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TPH4R003NL,L1Q
TPH4R003NL,L1Q -
MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
TPH4R003NL,L1Q
仓库库存编号:
TPH4R003NLL1QCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta),36W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TPH4R003NL,L1Q产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerVDFN
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
U-MOSVIII-H
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
14.8nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1400pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 200μA
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta),36W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
TPH4R003NL
标准包装
1
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TPH4R003NLL1QCT
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别名:296-22987-1
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别名:SSM3K35MFV(TPL3)CT
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
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型号:
TPH1R403NL,L1Q
仓库库存编号:
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别名:TPH1R403NL,L1QCT
TPH1R403NL,L1QCT-ND
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