TPH7R204PL,LQ,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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TPH7R204PL,LQ
TPH7R204PL,LQ -
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
TPH7R204PL,LQ
仓库库存编号:
TPH7R204PLLQCT-ND
描述:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
表面贴装 N 沟道 40V 48A(Tc) 69W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TPH7R204PL,LQ产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerVDFN
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
175°C(TJ)
系列
U-MOSIX-H
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
24nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
9.7 毫欧 @ 15A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
48A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2040pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 200μA
功率耗散(最大值)
69W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
TPH7R204PL
标准包装
1
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TPH7R204PLLQCT
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仓库库存编号:
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别名:887-1092-1
不受无铅要求限制
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仓库库存编号:
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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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型号:
TPH7R006PL,L1Q
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别名:TPH7R006PLL1QCT
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