TPN3R704PL,L1Q,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TPN3R704PL,L1Q - 

MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Toshiba Semiconductor and Storage TPN3R704PL,L1Q
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPN3R704PL,L1Q
仓库库存编号：
TPN3R704PLL1QCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 40V 80A TSON
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 630mW（Ta）, 86W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

TPN3R704PL,L1Q产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  175°C  
  系列  U-MOSIX-H  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-TSON Advance（3.3x3.3）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  27nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3.7 毫欧 @ 40A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  80A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2500pF @ 20V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.4V @ 0.2mA  
  功率耗散（最大值）  630mW（Ta）, 86W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  40V  
关键词         

产品资料
数据列表 TPN3R704PL
标准包装 1
其它名称 TPN3R704PLL1QCT

TPN3R704PL,L1Q您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

TPN3R704PL,L1Q相关搜索

封装/外壳 8-PowerVDFN  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 175°C  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C   系列 U-MOSIX-H  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIX-H  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSIX-H  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 U-MOSIX-H   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-TSON Advance（3.3x3.3）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 8-TSON Advance（3.3x3.3）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-TSON Advance（3.3x3.3）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-TSON Advance（3.3x3.3）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 40A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 40A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 40A，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 40A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 20V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 0.2mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 0.2mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 0.2mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 0.2mA   功率耗散（最大值） 630mW（Ta）, 86W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散（最大值） 630mW（Ta）, 86W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 630mW（Ta）, 86W（Tc）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 630mW（Ta）, 86W（Tc）   漏源电压（Vdss） 40V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号