TPN4R203NC,L1Q,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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TPN4R203NC,L1Q
TPN4R203NC,L1Q -
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
TPN4R203NC,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R203NCL1QCT-ND
描述:
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 23A(Ta) 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TPN4R203NC,L1Q产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerVDFN
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
U-MOSVIII
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-TSON Advance(3.3x3.3)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
24nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.2 毫欧 @ 11.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
23A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1370pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 200μA
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),22W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
TPN4R203NC
标准包装
1
其它名称
TPN4R203NCL1QCT
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封装/外壳 8-PowerVDFN
Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-PowerVDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 U-MOSVIII
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 U-MOSVIII
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 8-TSON Advance(3.3x3.3)
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 8-TSON Advance(3.3x3.3)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-TSON Advance(3.3x3.3)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Toshiba Semiconductor and Storage Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 11.5A,10V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 11.5A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 11.5A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Ta)
Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1370pF @ 15V
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1370pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1370pF @ 15V
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FET 功能 -
Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 200μA
Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 200μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 200μA
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 200μA
功率耗散(最大值) 700mW(Ta),22W(Tc)
Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散(最大值) 700mW(Ta),22W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta),22W(Tc)
Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta),22W(Tc)
漏源电压(Vdss) 30V
Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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