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TPW1R306PL,L1Q - 

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPW1R306PL,L1Q
仓库库存编号：
TPW1R306PLL1QCT-ND
描述：
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-DSOP Advance
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TPW1R306PL,L1Q产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerWDFN  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  系列  U-MOSIX-H  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-DSOP Advance  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  260A（Tc）  
  功率耗散（最大值）  960mW（Ta）, 170W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 TPW1R306PL Datasheet
标准包装 1
其它名称 TPW1R306PLL1QCT

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电话:400-900-3095
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