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TRS6E65C,S1AQ
TRS6E65C,S1AQ -
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
TRS6E65C,S1AQ
仓库库存编号:
TRS6E65CS1AQ-ND
描述:
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
碳化硅肖特基 通孔 二极管 6A(DC) TO-220-2L
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TRS6E65C,S1AQ产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-2
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
通孔
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-220-2L
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
90μA @ 650V
反向恢复时间(trr)
0ns
电流 - 平均整流(Io)
6A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.7V @ 6A
工作温度 - 结
175°C(最大)
二极管类型
碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
650V
不同?Vr,F 时的电容
35pF @ 650V,1MHz
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
关键词
产品资料
数据列表
TRS6E65C
标准包装
50
其它名称
TRS6E65C,S1AQ(S
TRS6E65C,S1Q
TRS6E65C,S1Q(S
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 通孔
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供应商器件封装 TO-220-2L
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 90μA @ 650V
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反向恢复时间(trr) 0ns
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电流 - 平均整流(Io) 6A(DC)
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不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.7V @ 6A
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不同?Vr,F 时的电容 35pF @ 650V,1MHz
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