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产品规格

封装/外壳	TO-3PL
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3P（L）
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 1A，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Power - Max	180W
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	18A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	2V @ 900mA，9A
频率 - 跃迁	30MHz
关键词

产品资料

数据列表	TTA0002
标准包装	100
其它名称	TTA0002Q

封装/外壳 TO-3PL  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-3PL  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-3PL  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-3PL   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P（L）  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-3P（L）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3P（L）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3P（L）   晶体管类型 PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V   Power - Max 180W  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 180W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 180W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 180W   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 18A  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 18A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 18A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 18A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2V @ 900mA，9A  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2V @ 900mA，9A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2V @ 900mA，9A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2V @ 900mA，9A   频率 - 跃迁 30MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 30MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 30MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 30MHz