ULN2803AFWG,C,EL,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

ULN2803AFWG,C,EL - 

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG,C,EL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ULN2803AFWG,C,EL
仓库库存编号：
ULN2803AFWGCELCT-ND
描述：
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

ULN2803AFWG,C,EL产品属性


产品规格
  封装/外壳  18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 85°C（TA）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  18-SOL  
  晶体管类型  8 NPN 达林顿  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  1000 @ 350mA，2V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  -  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  1.6V @ 500μA，350mA  
  频率 - 跃迁  -  
  功率 - 最大值  1.31W  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  500mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 ULN2803,04APG/AFWG Datasheet
标准包装 1
其它名称 ULN2803AFWG(5ELMCT
ULN2803AFWG(5ELMCT-ND
ULN2803AFWG(CELHACT
ULN2803AFWG(CELHACT-ND
ULN2803AFWG(OELMCT
ULN2803AFWG(OELMCT-ND
ULN2803AFWG5ELMCT
ULN2803AFWG5ELMCT-ND
ULN2803AFWGCELCT

ULN2803AFWG,C,EL您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

ULN2803AFWG,C,EL相关搜索

封装/外壳 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 18-SOL  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 18-SOL  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 18-SOL  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 18-SOL   晶体管类型 8 NPN 达林顿  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 8 NPN 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 8 NPN 达林顿  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 8 NPN 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA   频率 - 跃迁 -  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 1.31W  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 1.31W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.31W  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.31W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号