TPD3215M,Transphorm,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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TPD3215M - 

CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE

Transphorm TPD3215M
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TPD3215M
仓库库存编号：
TPD3215M-ND
描述：
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TPD3215M产品属性


产品规格
  封装/外壳  模块  
  制造商  Transphorm  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模块  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  28nC @ 8V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  34 毫欧 @ 30A，8V  
  FET 类型  2 个 N 通道（半桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  70A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2260pF @ 100V  
  FET 功能  GaNFET（氮化镓）  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  漏源电压（Vdss）  600V  
  功率 - 最大值  470W  
关键词         

产品资料
数据列表 TPD3215M
标准包装 1
其它名称 TPH3215M
TPH3215M-ND

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