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TPH3206PD
TPH3206PD -
GAN FET 600V 17A TO220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Transphorm
Transphorm
制造商产品编号:
TPH3206PD
仓库库存编号:
TPH3206PD-ND
描述:
GAN FET 600V 17A TO220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TPH3206PD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Transphorm
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220
技术
GaNFET(氮化镓)
Vgs(最大值)
±18V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
9.3nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 11A,8V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
17A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
760pF @ 480V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 500μA
功率耗散(最大值)
96W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
TPH3206PD
标准包装
50
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
533422B02552G
仓库库存编号:
533422B02552G-ND
别名:041768
无铅
搜索
Transphorm
GAN FET 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220
型号:
TPH3206PS
仓库库存编号:
TPH3206PS-ND
无铅
搜索
Transphorm
GAN FET 650V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 96W(Tc) TO-220
型号:
TPH3208PS
仓库库存编号:
TPH3208PS-ND
无铅
搜索
Transphorm
GAN FET 650V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 104W(Tc) TO-220
型号:
TPH3212PS
仓库库存编号:
TPH3212PS-ND
无铅
搜索
Transphorm
1KW INVERTER EVALUATION KIT
详细描述:TPH3206PSB - DC/AC Converter 1, Isolated Outputs Evaluation Board
型号:
TDINV1000P100-KIT
仓库库存编号:
TDINV1000P100-KIT-ND
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功率耗散(最大值) 96W(Tc)
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Transphorm 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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