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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Trinamic Motion Control GmbH
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	10nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	33 毫欧 @ 5A，10V
FET 类型	2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5.5A，4.1A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	960pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	1.38W
关键词

产品资料

数据列表	TMC1340-SO
标准包装	1
其它名称	1460-1137-1

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Trinamic Motion Control GmbH 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Trinamic Motion Control GmbH  Trinamic Motion Control GmbH 制造商 Trinamic Motion Control GmbH  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Trinamic Motion Control GmbH  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Trinamic Motion Control GmbH   安装类型 表面贴装  Trinamic Motion Control GmbH 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Trinamic Motion Control GmbH 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Trinamic Motion Control GmbH 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Trinamic Motion Control GmbH 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Trinamic Motion Control GmbH 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SO  Trinamic Motion Control GmbH 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V  Trinamic Motion Control GmbH 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 33 毫欧 @ 5A，10V  Trinamic Motion Control GmbH 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 33 毫欧 @ 5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 33 毫欧 @ 5A，10V  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 33 毫欧 @ 5A，10V   FET 类型 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）  Trinamic Motion Control GmbH FET 类型 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A，4.1A  Trinamic Motion Control GmbH 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A，4.1A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A，4.1A  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A，4.1A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 960pF @ 25V  Trinamic Motion Control GmbH 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 960pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 960pF @ 25V  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 960pF @ 25V   FET 功能 标准  Trinamic Motion Control GmbH FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Trinamic Motion Control GmbH 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Trinamic Motion Control GmbH 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 1.38W  Trinamic Motion Control GmbH 功率 - 最大值 1.38W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.38W  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.38W