PI5101-01-LGIZ,Vicor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
PI5101-01-LGIZ
PI5101-01-LGIZ -
MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vicor Corporation
Vicor Corporation
制造商产品编号:
PI5101-01-LGIZ
仓库库存编号:
1102-1078-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
4(72 小时)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 3.1W(Ta) 3-LGA(4.1x8)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
PI5101-01-LGIZ产品属性
产品规格
封装/外壳
3-FLGA
制造商
Vicor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
Picor? μRDS(on)FET?
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
3-LGA(4.1x8)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±5V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
65nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
0.45 毫欧 @ 60A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
60A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7600pF @ 5V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta)
漏源电压(Vdss)
5V
关键词
产品资料
数据列表
PI5101 Series
标准包装
50
其它名称
1102-1078-5
PI5101-00-LGIZ
PI510101LGIZ
PI5101-01-LGIZ您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Samtec Inc.
CONN SNGL-END ARRAY MALE 400POS
详细描述:400 位置 连接器 公引脚阵列 表面贴装 金
型号:
ASP-134602-01
仓库库存编号:
SAM8731-ND
别名:MC-HPC-8.5
SAM8731
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 850mA(Ta) 540mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSH103,215
仓库库存编号:
1727-4319-1-ND
别名:1727-4319-1
568-5013-1
568-5013-1-ND
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta) 680mW(Ta) SC-59
型号:
DMN1019USN-13
仓库库存编号:
DMN1019USN-13DICT-ND
别名:DMN1019USN-13DICT
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 81.7A(Ta), 100A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA20DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA20DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIRA20DP-T1-RE3CT
无铅
搜索
Murata Electronics North America
CAP FEEDTHRU 0.22UF 10V 0402
详细描述:0.22μF Feed Through Capacitor 10V 2A 30 mOhm 0402 (1005 Metric)
型号:
NFM15PC224R1A3D
仓库库存编号:
490-16919-1-ND
别名:490-16919-1
无铅
搜索
PI5101-01-LGIZ相关搜索
封装/外壳 3-FLGA
Vicor Corporation 封装/外壳 3-FLGA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 3-FLGA
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 3-FLGA
制造商 Vicor Corporation
Vicor Corporation 制造商 Vicor Corporation
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vicor Corporation
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vicor Corporation
安装类型 表面贴装
Vicor Corporation 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vicor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 Picor? μRDS(on)FET?
Vicor Corporation 系列 Picor? μRDS(on)FET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 Picor? μRDS(on)FET?
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 Picor? μRDS(on)FET?
包装 管件
Vicor Corporation 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
Vicor Corporation 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 3-LGA(4.1x8)
Vicor Corporation 供应商器件封装 3-LGA(4.1x8)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 3-LGA(4.1x8)
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 3-LGA(4.1x8)
技术 MOSFET(金属氧化物)
Vicor Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±5V
Vicor Corporation Vgs(最大值) ±5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±5V
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±5V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 4.5V
Vicor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 4.5V
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 0.45 毫欧 @ 60A,4.5V
Vicor Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 0.45 毫欧 @ 60A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 0.45 毫欧 @ 60A,4.5V
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 0.45 毫欧 @ 60A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.5V,4.5V
Vicor Corporation 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.5V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.5V,4.5V
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.5V,4.5V
FET 类型 N 沟道
Vicor Corporation FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Ta)
Vicor Corporation 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Ta)
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 5V
Vicor Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 5V
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 5V
FET 功能 -
Vicor Corporation FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 1mA
Vicor Corporation 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 1mA
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 1mA
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
Vicor Corporation 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
漏源电压(Vdss) 5V
Vicor Corporation 漏源电压(Vdss) 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 5V
Vicor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 5V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号