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1N4448TR - 

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4448TR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
1N4448TR
仓库库存编号：
1N4448VSCT-ND
描述：
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
标准 通孔 二极管 150mA DO-35
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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1N4448TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  DO-204AH，DO-35，轴向  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  安装类型  通孔  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DO-35  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  5μA @ 75V  
  反向恢复时间（trr）  8ns  
  电流 - 平均整流（Io）  150mA  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  1V @ 100mA  
  工作温度 - 结  175°C（最大）  
  二极管类型  标准  
  电压 - DC 反向（Vr）（最大值）  100V  
  不同?Vr，F 时的电容  4pF @ 0V，1MHz  
  速度  小信号 =< 200mA（Io），任意速度  
关键词         

产品资料
数据列表 1N4448
标准包装 1
其它名称 1N4448VSCT

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