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产品规格

封装/外壳	DO-204AH，DO-35，轴向
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 175°C
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	带盒（TB）
零件状态	在售
供应商器件封装	DO-35
容差	±2%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	100nA @ 46V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	1.1V @ 200mA
Power - Max	500mW
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）	60V
阻抗（最大值）（Zzt）	170 Ohms
关键词

产品资料

标准包装	30,000

封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向  二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 通孔  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 通孔  二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 通孔  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -65°C ~ 175°C  二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C   系列 汽车级，AEC-Q101  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级，AEC-Q101  二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 带盒（TB）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带盒（TB）   二极管 - 齐纳 - 单 包装 带盒（TB）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 包装 带盒（TB）    零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售  二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DO-35  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 DO-35  二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-35  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-35   容差 ±2%  Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 ±2%  二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±2%  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±2%   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 46V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 46V  二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 46V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 46V   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 200mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 200mA  二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 200mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 200mA   Power - Max 500mW  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 500mW  二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW   电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 60V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 60V  二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 60V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 60V   阻抗（最大值）（Zzt） 170 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 阻抗（最大值）（Zzt） 170 Ohms  二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 170 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 170 Ohms