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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	TO-277，3-PowerDFN
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	表面贴装
系列	eSMP?
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	TO-277A（SMPC）
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	10μA @ 1000V
反向恢复时间（trr）	1.2μs
电流 - 平均整流（Io）	2.1A（DC）
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	920mV @ 1.5A
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C
二极管类型	雪崩
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	1000V
不同?Vr，F 时的电容	37pF @ 4V，1MHz
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
关键词

产品资料

数据列表	AS3PD, PG, PJ, PK, PM
标准包装	1
其它名称	AS3PM-M3/86ACT

封装/外壳 TO-277，3-PowerDFN  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 TO-277，3-PowerDFN  二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-277，3-PowerDFN  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-277，3-PowerDFN   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 整流器 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装  二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装   系列 eSMP?  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 eSMP?  二极管 - 整流器 - 单 系列 eSMP?  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 系列 eSMP?   包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 剪切带（CT）   二极管 - 整流器 - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态  已不再提供  二极管 - 整流器 - 单 零件状态  已不再提供  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 TO-277A（SMPC）  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 TO-277A（SMPC）  二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 TO-277A（SMPC）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 TO-277A（SMPC）   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V  二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V   反向恢复时间（trr） 1.2μs  Vishay Semiconductor Diodes Division 反向恢复时间（trr） 1.2μs  二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间（trr） 1.2μs  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间（trr） 1.2μs   电流 - 平均整流（Io） 2.1A（DC）  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 平均整流（Io） 2.1A（DC）  二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流（Io） 2.1A（DC）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流（Io） 2.1A（DC）   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 920mV @ 1.5A  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 920mV @ 1.5A  二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 920mV @ 1.5A  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 920mV @ 1.5A   工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C  二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C   二极管类型 雪崩  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 雪崩  二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 雪崩  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 雪崩   电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1000V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1000V  二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1000V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1000V   不同?Vr，F 时的电容 37pF @ 4V，1MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr，F 时的电容 37pF @ 4V，1MHz  二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr，F 时的电容 37pF @ 4V，1MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr，F 时的电容 37pF @ 4V，1MHz   速度 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）  Vishay Semiconductor Diodes Division 速度 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）  二极管 - 整流器 - 单 速度 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 速度 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）