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AU3PD-M3/86A
AU3PD-M3/86A -
DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A
不提供增值包装;备有另选包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
AU3PD-M3/86A
仓库库存编号:
AU3PD-M3/86AGICT-ND
描述:
DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
雪崩 表面贴装 二极管 1.7A(DC) TO-277A(SMPC)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AU3PD-M3/86A产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-277,3-PowerDFN
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
系列
eSMP?
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
TO-277A(SMPC)
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
10μA @ 200V
反向恢复时间(trr)
75ns
电流 - 平均整流(Io)
1.7A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.9V @ 3A
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
二极管类型
雪崩
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
200V
不同?Vr,F 时的电容
72pF @ 4V,1MHz
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
关键词
产品资料
数据列表
AU3PD,AU3PG,AU3PJ
标准包装
1
其它名称
AU3PD-M3/86AGICT
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封装/外壳 TO-277,3-PowerDFN
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 TO-277,3-PowerDFN
二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-277,3-PowerDFN
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-277,3-PowerDFN
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 整流器 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 表面贴装
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二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装
系列 eSMP?
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二极管 - 整流器 - 单 系列 eSMP?
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包装 剪切带(CT)
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二极管 - 整流器 - 单 包装 剪切带(CT)
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 已不再提供
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 已不再提供
二极管 - 整流器 - 单 零件状态 已不再提供
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供应商器件封装 TO-277A(SMPC)
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 TO-277A(SMPC)
二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 TO-277A(SMPC)
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 TO-277A(SMPC)
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 200V
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 200V
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 200V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 200V
反向恢复时间(trr) 75ns
Vishay Semiconductor Diodes Division 反向恢复时间(trr) 75ns
二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 75ns
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 75ns
电流 - 平均整流(Io) 1.7A(DC)
Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 平均整流(Io) 1.7A(DC)
二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 1.7A(DC)
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 1.7A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.9V @ 3A
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.9V @ 3A
二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.9V @ 3A
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.9V @ 3A
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
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二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
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二极管类型 雪崩
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 雪崩
二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 雪崩
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电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V
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二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V
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不同?Vr,F 时的电容 72pF @ 4V,1MHz
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr,F 时的电容 72pF @ 4V,1MHz
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr,F 时的电容 72pF @ 4V,1MHz
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速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
Vishay Semiconductor Diodes Division 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管 - 整流器 - 单 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 整流器 - 单 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
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